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CryptoRock
2026-07-11 21:19:30
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#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
我々は、供給不足に対するパニックが引き起こす混乱した急激な価格スパイクから距離を置き、2027年まで続く見込みの、構造的に健全なAI主導の拡大の時期に入ろうとしています。
このサイクルを動かすダイナミクスが、消費者需要が鈍化しているにもかかわらず、市場が粘り強く推移している理由を説明します。
2026年Q2の値上げと2026年Q3の減速:2026年の第2四半期はメモリメーカーにとって非常に大きな好結果でしたが、第3四半期の減速は、消費者が購買力の限界に到達しつつあることを示しています。
従来型DRAM:平均+74%;伸びは13%~18%の範囲にまで減速する見通し。
サーバーDRAM:+60%~+67%;高性能なDDR5モジュールによって下支えされており、スポット価格は契約価格に比べて大幅なプレミアムで取引されています。
モバイルDRAM:約80%;急激なピークを経験しましたが、スマートフォンメーカー(OEM)はコストを理由に調達スケジュールを調整し、構成を縮小しています。
NANDフラッシュ:約60%(全体の契約ベース);大きな乖離が見られます。6月にはウェハーのスポット価格が3%~4%下落した一方で、エンタープライズSSDおよびモバイルストレージのセグメント(+70%~+80%)は市場を下支えしました。
AI主導の構造的シフト:なぜ今回は違うのか?歴史的に、メモリのサイクルは「ブーム・アンド・バスト(好況と不況)」のパターンで特徴づけられてきました。すなわち、サプライヤーが過剰な設備容量を積み上げ、PCやスマートフォン向けの消費者需要が落ち込み、価格が底値まで急落するという流れです。
このサイクルは、次の2つの主要な力によって根本的に作り替えられています:
長期契約(LTA):ハイパースケールのデータセンター事業者や、Tier-1の米国クラウドサービス提供者(CSP)は、オープンなスポット市場での購入にのみ依存しなくなっています。彼らは景気後退時の下振れを防ぐための厳格な価格フロアを含む、3~5年契約を結んでいます。たとえば、SK HynixやMicronのようなサプライヤーは年初に大規模なLTAを締結して製品の割当を確保した一方で、Samsungはより高い価格上限を達成することを狙った攻めの姿勢を取りました。
容量のシフト(カニバリゼーション):帯域幅の大きいメモリ(HBM)や先進的なサーバーDDR5に対する需要は尽きることがなく、メーカーは物理的なウェハーの生産容量を、従来のPCおよびモバイルDRAMの製造からこれらの領域へと振り向けています。消費者向け電子機器の需要が弱含んでいても、全体の供給は制約されたままです。生産設備(ファブ)が高マージンのAIチップの製造に集中しているためです。
サプライヤー見通し
Bernsteinの見解は、この高度に多様化されたAI中心の生産戦略における勝者を示しています:
Samsung、SK Hynix、Micron(アウトパフォーム):この3社はHBMとDDR5のブームの主要な受益者であり、2027年までの収益の軌道を、長期契約(LTA)受注の確保によって平滑化できるだけの大きなバックログを持っています。
SanDisk(アウトパフォーム):エンタープライズSSDの契約における構造的な優位性が非常に高く、NANDウェハー価格の小さな変動から守る高い価格フロア(約$0.29/GB)を提供しているためです。
Kioxia(慎重/アンダーパフォーム):LTAのないコモディティフラッシュ市場はより変動が大きく、消費者向けウェハー・セグメントの軟化からの防御が弱いことにより、リスクにさらされています。
月次の価格急騰という「ロケット船」フェーズは終わりつつありますが、だからといって弱気相場(ブル相場)の終わりだと勘違いしないでください。メモリ価格の構造的なベースラインは高い水準のままです。正常化が完全に定着するのは2027年後半か2028年まで持ち越される見込みです。というのも、新設された生産能力がようやく稼働を開始するのがその時期だからです。
SK Hynix
-0.27%
SKHYV
-0.98%
MU
-1.19%
DRAM
-2.02%
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#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
我々は、供給不足に対するパニックが引き起こす混乱した急激な価格スパイクから距離を置き、2027年まで続く見込みの、構造的に健全なAI主導の拡大の時期に入ろうとしています。
このサイクルを動かすダイナミクスが、消費者需要が鈍化しているにもかかわらず、市場が粘り強く推移している理由を説明します。
2026年Q2の値上げと2026年Q3の減速:2026年の第2四半期はメモリメーカーにとって非常に大きな好結果でしたが、第3四半期の減速は、消費者が購買力の限界に到達しつつあることを示しています。
従来型DRAM:平均+74%;伸びは13%~18%の範囲にまで減速する見通し。
サーバーDRAM:+60%~+67%;高性能なDDR5モジュールによって下支えされており、スポット価格は契約価格に比べて大幅なプレミアムで取引されています。
モバイルDRAM:約80%;急激なピークを経験しましたが、スマートフォンメーカー(OEM)はコストを理由に調達スケジュールを調整し、構成を縮小しています。
NANDフラッシュ:約60%(全体の契約ベース);大きな乖離が見られます。6月にはウェハーのスポット価格が3%~4%下落した一方で、エンタープライズSSDおよびモバイルストレージのセグメント(+70%~+80%)は市場を下支えしました。
AI主導の構造的シフト:なぜ今回は違うのか?歴史的に、メモリのサイクルは「ブーム・アンド・バスト(好況と不況)」のパターンで特徴づけられてきました。すなわち、サプライヤーが過剰な設備容量を積み上げ、PCやスマートフォン向けの消費者需要が落ち込み、価格が底値まで急落するという流れです。
このサイクルは、次の2つの主要な力によって根本的に作り替えられています:
長期契約(LTA):ハイパースケールのデータセンター事業者や、Tier-1の米国クラウドサービス提供者(CSP)は、オープンなスポット市場での購入にのみ依存しなくなっています。彼らは景気後退時の下振れを防ぐための厳格な価格フロアを含む、3~5年契約を結んでいます。たとえば、SK HynixやMicronのようなサプライヤーは年初に大規模なLTAを締結して製品の割当を確保した一方で、Samsungはより高い価格上限を達成することを狙った攻めの姿勢を取りました。
容量のシフト(カニバリゼーション):帯域幅の大きいメモリ(HBM)や先進的なサーバーDDR5に対する需要は尽きることがなく、メーカーは物理的なウェハーの生産容量を、従来のPCおよびモバイルDRAMの製造からこれらの領域へと振り向けています。消費者向け電子機器の需要が弱含んでいても、全体の供給は制約されたままです。生産設備(ファブ)が高マージンのAIチップの製造に集中しているためです。
サプライヤー見通し
Bernsteinの見解は、この高度に多様化されたAI中心の生産戦略における勝者を示しています:
Samsung、SK Hynix、Micron(アウトパフォーム):この3社はHBMとDDR5のブームの主要な受益者であり、2027年までの収益の軌道を、長期契約(LTA)受注の確保によって平滑化できるだけの大きなバックログを持っています。
SanDisk(アウトパフォーム):エンタープライズSSDの契約における構造的な優位性が非常に高く、NANDウェハー価格の小さな変動から守る高い価格フロア(約$0.29/GB)を提供しているためです。
Kioxia(慎重/アンダーパフォーム):LTAのないコモディティフラッシュ市場はより変動が大きく、消費者向けウェハー・セグメントの軟化からの防御が弱いことにより、リスクにさらされています。
月次の価格急騰という「ロケット船」フェーズは終わりつつありますが、だからといって弱気相場(ブル相場)の終わりだと勘違いしないでください。メモリ価格の構造的なベースラインは高い水準のままです。正常化が完全に定着するのは2027年後半か2028年まで持ち越される見込みです。というのも、新設された生産能力がようやく稼働を開始するのがその時期だからです。