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Samsung y NVIDIA aceleran el desarrollo de la próxima generación de memoria NAND flash
Según un informe del diario surcoreano《Seoul Economic Daily》, citando información de una fuente interna no identificada, Samsung Electronics está colaborando con NVIDIA para acelerar el desarrollo de los próximos chips de memoria NAND de nueva generación. Un equipo de investigación conjunto de Samsung Semiconductor Research Institute, NVIDIA y el Georgia Institute of Technology desarrolló un modelo de “operador de red neuronal de información física”, cuya velocidad de análisis del rendimiento de los dispositivos de memoria NAND ferroeléctricos es más de 10k veces mayor que la de los modelos actuales, y dio a conocer los resultados del estudio. Con base en los resultados de la investigación, Samsung está colaborando con NVIDIA para desarrollar y comercializar los chips NAND ferroeléctricos. (CbI)