受益于 AI 带动的存储器需求暴增与芯片价格上涨，三星电子今年第一季度盈利出现爆发式增长。韩媒报道，2026 年第一季度营业利益达 57.2 兆韩元（约 380 亿美元），同比增长高达 755%，远超市场预期。
在营收方面，同期达 133 兆韩元，同比增长 68%，同样优于市场共识。根据金融数据机构 FnGuide 先前汇整的预测，市场原本预计三星第一季度营业利益约为 40.2 兆韩元、营收约 119 兆韩元，此次公布数据全面“大幅超车”。
数据中心对高带宽存储器（HBM）与服务器 DRAM 的需求急剧上升，排挤原本供应 PC、消费电子与 GPU 产业链的产能。由于短期内晶圆产能无法快速扩张，供给端紧张进一步推升价格。市场传出三星最新 DRAM 报价涨超 100%，远高于 1 月的 70%。在产能排挤下，消费端的 32 GB 存储器可能会突破 400 美元。
三星财报超预期，2026 Q1 盈利同比增长 755%
此次业绩爆发，主要受益于 AI 浪潮带动的存储器需求飙升。随着生成式 AI、数据中心与高效能运算（HPC）持续扩张，DRAM 与 NAND Flash 价格自 2025 年下半年起逐步回升，并在 2026 年初进一步加速上行，成为推动三星盈利的核心动力。
值得注意的是，三星此次仅公布初步合并财报，尚未披露各事业群（如半导体、行动通讯、显示器等）的细部贡献，完整财报预计将于本月稍晚发布。市场普遍预期，半导体部门将是本季最大获利来源，尤其是高带宽存储器（HBM）与服务器 DRAM，已成为 AI 基础设施竞赛中的关键零组件。
市场消息：三星 DRAM 最新报价涨幅超过 100%
另一方面，市场传出三星电子已在 2026 年第一季度与客户完成 DRAM 供应价格谈判，涨幅超过 100%，远高于 1 月时约 70% 的调涨幅度。作为全球三大 DRAM 制造商之一，三星的定价策略往往具有指标性；另一大厂 SK Hynix 近期也传出同步上调价格，意味着存储器市场已进入全面上行周期。
价格飙升的核心动力，来自 AI 服务器需求爆发。随着大型语言模型与高效能运算（HPC）持续扩张，数据中心对高带宽存储器（HBM）与服务器 DRAM 的需求急剧上升，排挤原本供应 PC、消费电子与 GPU 产业链的产能。由于短期内晶圆产能无法快速扩张，供给端紧张进一步推升价格。
存储器的供需改变有多剧烈呢？过去 DRAM 供应多采用年度合约，但在价格剧烈波动下，厂商已转向季度合约，甚至开始评估改为“月度定价”，以更即时反映市场供需。这代表价格波动将更加频繁，市场不确定性显著提高。
在供需缺口短期难以填补的情况下，业界普遍预期存储器价格仍有上行空间。对消费者而言，这意味着 PC 存储器、显卡与储存设备价格可能持续攀升，甚至出现高阶 32GB (16GB*2) 存储器模组突破 400 美元的情境。
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