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东芝推出采用U-MOS11-H工艺的80V N沟道功率MOSFET TPM1R408RH
Gate News
2026-06-30 04:49:06
东芝推出采用U-MOS11-H工艺的80V N沟道功率MOSFET TPM1R408RH
据Jin10，东芝于6月30日宣布推出TPM1R408RH，一款采用其最新一代U-MOS11-H工艺技术制造的80V N沟道功率MOSFET。该新器件面向AI数据中心和电信基站的开关电源。出货于宣布后立即开始。
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