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CryptoRock
2026-07-11 20:46:35
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#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
伯恩斯坦研究(Bernstein Research)作为领先的投资研究机构,发布了对存储半导体行业的高度乐观展望,预计当前DRAM和NAND闪存芯片的牛市将延续至2027年。该预测对包括三星电子、SK Hynix、Micron Technology和SanDisk在内的主要存储芯片制造商具有重大影响。
当前市场动态与价格趋势
据伯恩斯坦分析师Mark Li称,存储市场正经历前所未有的价格动能。DRAM和NAND合约价格预计将在2026年第二季度再次大幅上涨,其中NAND合约价格预计环比上升65%至70%。这一激增主要由SSD和移动端NAND封装需求推动。与此同时,DRAM合约价格也被认为将出现显著涨幅,且涨幅幅度将领先于伯恩斯坦此前的预期。
价格上涨反映了基本面的供需失衡。服务器DRAM和企业级SSD需求依然强劲,持续将全行业供应维持在紧张状态。不过,伯恩斯坦指出,现货价格正在释放出相互矛盾的信号:服务器DDR5模组现货价格按月下跌约6.7%,NAND晶圆现货价格也下跌约7%,因为更高的价格开始对消费者端需求产生压力。
支撑延续牛市的关键驱动因素
伯恩斯坦对2027年的乐观预期背后有多项结构性因素:
AI数据中心扩张:人工智能应用的普及带来了对高性能存储解决方案的巨大需求。AI训练与推理工作负载需要大量DRAM容量,AI服务器中使用的DRAM含量通常是传统服务器的6-8倍。数据中心运营商正在积极扩张存储容量以支持AI工作负载。
云计算增长:主要云服务提供商继续扩张其基础设施,推动DRAM与NAND闪存存储的持续需求。企业存储需求以每年约25%-30%的速度增长,为持续需求带来顺风。
高性能计算需求:先进计算应用,包括机器学习、大数据分析和科学计算,要求越来越复杂的存储架构。HBM(高带宽存储器)和先进DDR5技术凭借更高的定价与更高的利润率。
供给侧约束:存储芯片制造需要大量资本投入且建设周期长。新的晶圆厂设施建设需要2-3年,并在产能爬坡后进入满产。由于洁净室产能有限、专用设备供给不足以及熟练工程人才短缺,供给增长仍受到限制。
公司层面的影响
三星电子:作为全球最大的存储芯片制造商,三星有望从持续的价格强势中显著受益。公司横跨DRAM、NAND以及新兴存储技术的多元化产品组合,使其能够在多个市场细分中捕捉价值。三星的垂直整合能力与制造规模优势,为成本结构和供给安全提供了竞争优势。
SK Hynix:这家韩国存储领域的专家已在HBM技术方面崭露头角,而HBM对AI应用至关重要。SK Hynix在HBM领域约占50%的市场份额,是DRAM内部利润率最高的细分板块。公司在先进封装与高速存储接口方面的技术领先地位,支撑其更强的溢价定价能力。
Micron Technology:作为唯一一家位于美国的主要存储芯片制造商,Micron受地缘政治因素与供应链多元化趋势的影响获益。公司约80%的营收来自DRAM,使其对DRAM价格周期尤其敏感。Micron股价截至目前已大幅上涨约240%-270%,反映了投资者对延续性上行周期的乐观情绪。
SanDisk(西部数据):作为纯NAND闪存供应商,SanDisk可直接受益于NAND价格的上涨。公司聚焦企业级SSD与移动存储解决方案,与高增长市场细分高度契合。
价格预测路径
伯恩斯坦预计以下价格路径:
2026年第二季度:DRAM与NAND各类别价格大幅上涨
2026年第三季度:买家转向长期合约后,价格上涨适度
2026年第四季度:价格继续走高,但上涨速度将放缓
2027年:价格仍保持坚挺,且到2027年下半年进入逐步常态化,并延续至2028年
该路径表明,存储芯片制造商将享受更长时间的较高盈利能力,领先者的毛利率可能达到50%-60%。
市场规模预测
行业研究机构TrendForce上调了其全球存储市场预测,预计2026年总可服务市场将达到8893亿美元,其中DRAM贡献6187亿美元,NAND贡献2706亿美元。这相较于当前水平实现了显著增长,并支撑伯恩斯坦的看涨论点。
投资考虑
寻求参与存储牛市的投资者有多种选择:
个股:直接投资三星、SK Hynix、Micron或西部数据/SanDisk,可获得对特定公司执行能力与市场定位的定向敞口。
DRAM ETF:Roundhill Memory ETF提供对包括三星、SK Hynix、Micron以及其他半导体公司的国际存储制造商的多元化敞口。
设备供应商:如Lam Research、Applied Materials与Tokyo Electron等公司,将受益于存储制造商的资本开支需求。
风险因素
尽管伯恩斯坦的展望较为积极,投资者仍应考虑潜在风险:
若价格上涨过快,消费者需求疲软可能会加速
供给响应最终可能比预期更快地平衡市场
宏观经济放缓可能降低企业IT支出
地缘政治紧张可能扰乱供应链或贸易流动
技术迭代可能使当前代产品面临被淘汰的风险
结论
伯恩斯坦对2027年前存储芯片延续牛市的预测,反映了包括AI普及、云计算扩张和数据中心增长在内的结构性需求驱动,同时也叠加了供给侧约束,使产能无法快速增加。包括三星、SK Hynix、Micron和SanDisk在内的主要存储制造商,有望从持续的价格强势与不断扩大的利润空间中受益。投资者应在关注半导体行业周期性风险的同时,考虑参与这一长期增长趋势的多种途径。
在AI与先进计算需求的推动下,存储行业从商品化业务转型为技术驱动的增长型行业,这支撑了伯恩斯坦的信念:这一轮周期将比历史模式所暗示的更持久、且更具盈利性。
@Gate_Square
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伯恩斯坦研究(Bernstein Research)作为领先的投资研究机构,发布了对存储半导体行业的高度乐观展望,预计当前DRAM和NAND闪存芯片的牛市将延续至2027年。该预测对包括三星电子、SK Hynix、Micron Technology和SanDisk在内的主要存储芯片制造商具有重大影响。
当前市场动态与价格趋势
据伯恩斯坦分析师Mark Li称,存储市场正经历前所未有的价格动能。DRAM和NAND合约价格预计将在2026年第二季度再次大幅上涨,其中NAND合约价格预计环比上升65%至70%。这一激增主要由SSD和移动端NAND封装需求推动。与此同时,DRAM合约价格也被认为将出现显著涨幅,且涨幅幅度将领先于伯恩斯坦此前的预期。
价格上涨反映了基本面的供需失衡。服务器DRAM和企业级SSD需求依然强劲,持续将全行业供应维持在紧张状态。不过,伯恩斯坦指出,现货价格正在释放出相互矛盾的信号:服务器DDR5模组现货价格按月下跌约6.7%,NAND晶圆现货价格也下跌约7%,因为更高的价格开始对消费者端需求产生压力。
支撑延续牛市的关键驱动因素
伯恩斯坦对2027年的乐观预期背后有多项结构性因素:
AI数据中心扩张:人工智能应用的普及带来了对高性能存储解决方案的巨大需求。AI训练与推理工作负载需要大量DRAM容量,AI服务器中使用的DRAM含量通常是传统服务器的6-8倍。数据中心运营商正在积极扩张存储容量以支持AI工作负载。
云计算增长:主要云服务提供商继续扩张其基础设施,推动DRAM与NAND闪存存储的持续需求。企业存储需求以每年约25%-30%的速度增长,为持续需求带来顺风。
高性能计算需求:先进计算应用,包括机器学习、大数据分析和科学计算,要求越来越复杂的存储架构。HBM(高带宽存储器)和先进DDR5技术凭借更高的定价与更高的利润率。
供给侧约束:存储芯片制造需要大量资本投入且建设周期长。新的晶圆厂设施建设需要2-3年,并在产能爬坡后进入满产。由于洁净室产能有限、专用设备供给不足以及熟练工程人才短缺,供给增长仍受到限制。
公司层面的影响
三星电子:作为全球最大的存储芯片制造商,三星有望从持续的价格强势中显著受益。公司横跨DRAM、NAND以及新兴存储技术的多元化产品组合,使其能够在多个市场细分中捕捉价值。三星的垂直整合能力与制造规模优势,为成本结构和供给安全提供了竞争优势。
SK Hynix:这家韩国存储领域的专家已在HBM技术方面崭露头角,而HBM对AI应用至关重要。SK Hynix在HBM领域约占50%的市场份额,是DRAM内部利润率最高的细分板块。公司在先进封装与高速存储接口方面的技术领先地位,支撑其更强的溢价定价能力。
Micron Technology:作为唯一一家位于美国的主要存储芯片制造商,Micron受地缘政治因素与供应链多元化趋势的影响获益。公司约80%的营收来自DRAM,使其对DRAM价格周期尤其敏感。Micron股价截至目前已大幅上涨约240%-270%,反映了投资者对延续性上行周期的乐观情绪。
SanDisk(西部数据):作为纯NAND闪存供应商,SanDisk可直接受益于NAND价格的上涨。公司聚焦企业级SSD与移动存储解决方案,与高增长市场细分高度契合。
价格预测路径
伯恩斯坦预计以下价格路径:
2026年第二季度:DRAM与NAND各类别价格大幅上涨
2026年第三季度:买家转向长期合约后,价格上涨适度
2026年第四季度:价格继续走高,但上涨速度将放缓
2027年:价格仍保持坚挺,且到2027年下半年进入逐步常态化,并延续至2028年
该路径表明,存储芯片制造商将享受更长时间的较高盈利能力,领先者的毛利率可能达到50%-60%。
市场规模预测
行业研究机构TrendForce上调了其全球存储市场预测,预计2026年总可服务市场将达到8893亿美元,其中DRAM贡献6187亿美元,NAND贡献2706亿美元。这相较于当前水平实现了显著增长,并支撑伯恩斯坦的看涨论点。
投资考虑
寻求参与存储牛市的投资者有多种选择:
个股:直接投资三星、SK Hynix、Micron或西部数据/SanDisk,可获得对特定公司执行能力与市场定位的定向敞口。
DRAM ETF:Roundhill Memory ETF提供对包括三星、SK Hynix、Micron以及其他半导体公司的国际存储制造商的多元化敞口。
设备供应商:如Lam Research、Applied Materials与Tokyo Electron等公司,将受益于存储制造商的资本开支需求。
风险因素
尽管伯恩斯坦的展望较为积极,投资者仍应考虑潜在风险:
若价格上涨过快,消费者需求疲软可能会加速
供给响应最终可能比预期更快地平衡市场
宏观经济放缓可能降低企业IT支出
地缘政治紧张可能扰乱供应链或贸易流动
技术迭代可能使当前代产品面临被淘汰的风险
结论
伯恩斯坦对2027年前存储芯片延续牛市的预测,反映了包括AI普及、云计算扩张和数据中心增长在内的结构性需求驱动,同时也叠加了供给侧约束,使产能无法快速增加。包括三星、SK Hynix、Micron和SanDisk在内的主要存储制造商,有望从持续的价格强势与不断扩大的利润空间中受益。投资者应在关注半导体行业周期性风险的同时,考虑参与这一长期增长趋势的多种途径。
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