Samsung Electronics augmente les prix des DRAM pour le troisième trimestre consécutif, objectif de 20 % au T3.

三星電子（Samsung Electronics）正在進行2026年第三季通用型DRAM價格談判，根據韓媒《韓國ZDNET》引述業界訊息，目標是將通用型DRAM均價（ASP）較上季提高最多20%；LPDDR因伺服器和行動端出現「嚴重瓶頸」，漲幅目標超過20%。

三星Q3價格談判目標：通用型ASP最多漲20%，LPDDR超過20%

根據《韓國ZDNET》引述的業界訊息，三星在Q3價格談判中展現強硬態度。通用型DRAM均價（ASP）目標季增最多20%；LPDDR（低功耗雙倍資料速率記憶體）因伺服器與行動端同步出現「嚴重瓶頸」，漲幅目標超過20%。三星前兩季漲幅對比：Q1 DRAM ASP季增約90%，Q2季增約50至60%。

業界人士評估，三星在通用型DRAM的全球市佔率居首，使其在議價上具更強主導力，加上通用型DRAM在三星總產量中佔比較高，是其漲勢比SK海力士更為顯著的主因。

業界人士亦注意到，終端廠商仍可能以減少訂單量或轉向其他供應商作為談判籌碼，Q3最終成交漲幅待觀察。

瑞銀（UBS）調高記憶體報價預估：Q3/Q4各季DRAM與NAND預測數字

根據瑞士銀行（UBS）最新報告，DRAM及NAND報價預測如下：

DRAM Q3報價：季增32%（較市場平均共識顯著偏高） DRAM Q4報價：季增18% NAND Q3報價：季增30% NAND Q4報價：季增12%

UBS的這項預測遠高於市場平均共識，反映華爾街對AI帶動的記憶體超級週期保持高度樂觀態度。上述為UBS分析師的個人預測，不構成投資建議；實際報價以各廠商官方公告及行業數據為準。

SK海力士訂價穩定的原因：HBM長期合約護體與即將赴美上市背景

SK海力士的Q3訂價趨勢相對穩定，主因為其更高比例的AI高頻寬記憶體（HBM）業務以長期合約（LTA）為主，合約鎖定價格不易受短期市場波動影響。SK海力士即將在納斯達克進行規模達290億美元的美國上市（IPO），市場預期其資本擴張能力將進一步拉開與三星在HBM領域的差距。

相較而言，三星的通用型DRAM業務比重較高，受現貨價格波動影響更大，因此在Q3漲價談判中的積極程度也更為明顯。

常見問題

三星Q3 DRAM漲價談判的最新進展如何，最終漲幅是否已確定？

根據韓媒《韓國ZDNET》引述業界訊息，三星Q3通用型DRAM漲價目標為最多20%，LPDDR超過20%；但業界同時指出，終端廠商可能以減少訂單量或轉向其他供應商作為談判籌碼，Q3最終成交漲幅尚待確定。具體成交數字以各廠商官方財報公告為準。

瑞銀的DRAM和NAND報價預測高於市場共識多少？

根據報道，UBS預測DRAM Q3季增32%、Q4季增18%，NAND Q3季增30%、Q4季增12%；報道指出這項預測「遠高於市場平均共識」，但未揭露市場共識具體數字。上述為UBS分析師個人預測，以官方市場研究報告更新為準。

為什麼三大記憶體廠商的傳統DRAM供給持續緊縮？

根據報道，三大記憶體廠（三星、SK海力士、美光）已將約93%的產能轉向HBM生產；每生產1位元HBM需比DDR5多消耗約三倍的晶圓產能，傳統DRAM供給因此被大幅排擠。新增晶圓產能最早2027年才放量，供給緊縮結構短期內難以快速緩解。