SK hynix accélère la construction de l’usine « Y1 » de Yongin, commence les commandes d’équipements

SK hynix a lancé des préparatifs à grande échelle en vue de la construction de sa nouvelle base de production de mémoire à Yongin. On comprend que l’entreprise a récemment commencé à passer des commandes auprès de fournisseurs clés pour des équipements avancés de fabrication de DRAM. L’investissement initial envisagé porte sur une capacité de production d’environ 20 000 wafers par mois.
Selon des sources du secteur des semi-conducteurs et des équipements du 14 juillet, SK hynix passe actuellement des commandes d’équipements pour son usine Yongin Y1.
Ligne pilote à mettre en place en février prochain pendant que les fournisseurs d’équipements intensifient leurs préparatifs
Y1 est la première usine du grand cluster de semi-conducteurs que SK hynix développe à Wonsam-myeon, Cheoin-gu, Yongin, dans la province de Gyeonggi.
La première usine comprendra deux bâtiments structurels et six salles blanches. La construction est en cours sur la première salle blanche, ou phase 1. SK hynix avait initialement prévu d’ouvrir la phase 1 de Y1 en mai de l’an prochain, mais a décidé d’avancer légèrement le calendrier, à février.
Dans le cadre de la chronologie révisée, on comprend que SK hynix a commencé à passer des commandes auprès de plusieurs fournisseurs clés pour des équipements à installer dans la phase 1 de Y1. L’entreprise prévoit de commencer à mettre en place une ligne de production pilote, dite « one-pass », en février de l’an prochain. Une installation d’équipements à grande échelle, visant à étendre la capacité de production à environ 20 000 wafers par mois, devrait suivre immédiatement en mars ou en avril.
Le produit ciblé est une DRAM de sixième génération de la classe des 10 nanomètres, ou 1c. La DRAM 1c est la génération la plus avancée de DRAM actuellement en production commerciale et elle est utilisée dans des produits DDR et LPDDR à forte valeur ajoutée pour les applications d’IA.
SK hynix prévoit aussi d’utiliser de la DRAM 1c dans la mémoire à bande passante élevée de septième génération, HBM4E, qui pourrait entrer en pleine commercialisation dès l’an prochain.
Les entreprises qui n’ont pas encore reçu de commandes d’équipements accélèrent elles aussi leurs préparatifs. Cela s’explique par le fait que SK hynix avance le calendrier des négociations sur les prix de vente des équipements, avant les installations.
« SK hynix menait normalement les négociations sur les prix de vente vers la fin de l’année, mais a décidé de commencer le processus dès le début du troisième trimestre », a déclaré un responsable du secteur des équipements de semi-conducteurs. « Il s’agit d’un travail préliminaire visant à faire entrer les équipements dans la phase 1 de Y1 aussi rapidement que possible. »
Dans le même temps, SK hynix élaborerait une stratégie pour accélérer le développement du grand cluster de semi-conducteurs de Yongin en réponse aux conditions actuelles de l’offre et de la demande dans le secteur des semi-conducteurs.
Le cluster de semi-conducteurs de Yongin, qui nécessitera un investissement total de 600 billions KRW, comprendra quatre usines. L’achèvement de la quatrième usine était initialement ciblé pour 2045, mais l’entreprise a avancé le calendrier de 12 ans, à 2033.
Un autre responsable du secteur des équipements a déclaré : « SK hynix devrait commencer à construire les salles blanches pour les phases 2 et 3 de Y1 au second semestre de cette année. Globalement, le calendrier de construction des usines est extrêmement serré. »