Nanya Ke e Powerchip Semiconductor entram na lista! Chega um ETF com exposição total à memória: ações do sector de DRAM nas bolsas dos EUA, análise das taxas

Um ETF que aposta diretamente no sector dos semicondutores de memória entrou oficialmente em cena. O ETF temático de memória lançado pela Roundhill: DRAM (Roundhill Memory ETF) foi cotado na bolsa de valores dos EUA em 2 de abril de 2026, sendo posicionado como o primeiro “ETF exclusivamente de memória” do mercado. Apenas empresas com mais de 50% das receitas provenientes de HBM, DRAM e NAND podem ser incluídas.

Este ETF volta a concentrar-se na Micron (24,63%), na Samsung (24,11%) e na SK hynix (23,08%), e inclui ainda SanDisk (4,90%), Kioxia (4,86%), Western Digital (4,77%), Seagate (4,73%), Nanya Tech (3,89%) e Winbond (2,40%). Para ver a lista completa de componentes e as comissões, consulte o artigo na íntegra.

Taxa do ETF ativo de DRAM: 0,65%

O DRAM é um ETF de gestão ativa, com uma taxa de 0,65%; o seu volume de ativos é atualmente de cerca de 250.000 dólares, e o número de posições é apenas de 9, tratando-se de um ETF temático altamente concentrado. Em comparação com os ETF tradicionais de semicondutores (como os que incluem uma distribuição alargada que abrange design, equipamentos e foundry), o DRAM enfatiza o “pure play”, ou seja, investir apenas em empresas relacionadas com a memória, apostando diretamente nas necessidades de armazenamento e de largura de banda mais essenciais na era da IA.

O ETF de DRAM expõe-se à Micron, Samsung e SK hynix

Pelo enquadramento da composição das participações, o ETF dá claramente grande peso aos três maiores gigantes da memória: Micron Technology (24,63%), Samsung Electronics (24,11%) e SK hynix (23,08%); em conjunto, estes três somam mais de 70% do peso, ficando praticamente totalmente focado na oferta central do mercado de DRAM e HBM.

Importa notar que esta alocação faz com que o DRAM tenha uma maior “pureza” de exposição à SK hynix e à Samsung Electronics, as duas grandes empresas de memória da Coreia do Sul, do que outro ETF coreano em evidência: EWY.

Além disso, o ETF também inclui empresas de memória de Taiwan, incluindo Nanya Tech (3,89%) e Winbond (2,40%). As restantes ações incluídas abrangem ainda Kioxia, SanDisk, Western Digital e Seagate Technology, cobrindo a cadeia de fornecimento de NAND e de dispositivos de armazenamento, embora o seu peso seja relativamente mais baixo.

O DRAM é como que uma aposta em ações de memória com “alavancagem sobre alavancagem”

Outra característica estrutural a ter em conta é que o ETF utiliza total return swap (troca de retorno total) para deter parte dos ativos, de forma a cumprir as regras de diversificação do RIC dos EUA (Regulated Investment Company). Isto também significa que a exposição efetiva poderá diferir ligeiramente da detida por ações à vista tradicionais, aumentando a complexidade da estrutura do produto.

A acrescentar, estes ETFs que usam derivados para construir posições são, na essência, diferentes dos ETFs em que se “compram ações diretamente”. Em geral, os ETFs tradicionais detêm diretamente as ações constituintes com o capital dos investidores, pelo que a alocação de ativos e o valor líquido são relativamente intuitivos; já no caso de uma estrutura como a do DRAM, utiliza-se parte do numerário como garantia e, através de contratos, amplifica-se a exposição a um sector específico, o que pode levar a que a posição total de investimento ultrapasse 100%.

O DRAM é um ETF temático altamente focado num único sector. Este tipo de produto pode trazer retornos excedentários significativos durante o ciclo ascendente da IA, mas ao mesmo tempo amplifica o risco associado aos ciclos económicos. A indústria de memória, por si, tem uma forte característica de ciclo de preços; uma vez que haja inversão na oferta e na procura, a volatilidade das cotações tende a ser muito superior à de outros semicondutores ou do índice global.

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