🚨A mídia coreana informa que a CXMT da China está atualmente testando uma linha de produção piloto para DRAM ligada em Hefei, visando alcançar DRAM de alto desempenho sem usar litografia EUV.

DRAM ligada é uma tecnologia na qual a matriz de células de memória e o circuito periférico são fabricados em lâminas separadas e depois unidas. Essa abordagem permite a produção de DRAM de altíssima densidade usando apenas litografia de ultravioleta profundo (DUV) com multipadronização, eliminando a necessidade de ferramentas EUV.
A Samsung Electronics está desenvolvendo sua própria DRAM ligada sob o projeto "B1b", enquanto a SK hynix está buscando uma tecnologia semelhante. No entanto, a mídia coreana adverte que há avaliações sugerindo que a CXMT pode atualmente ter uma vantagem sobre suas rivais coreanas tanto na tecnologia em si quanto na velocidade de desenvolvimento.