## Пиковый рост памяти в фокусе тайваньского рынка: 华邦电 лидирует в рейтинге производителей NAND Flash, фундаментальные изменения за ценовым лимитом
Рынок памяти претерпевает кардинальные изменения в поставках. Международные крупные компании, стремясь захватить рынок высокопроизводительной памяти (HBM), переводят мощности из традиционных DRAM и флеш-памяти (Flash), что приводит к заметному дефициту глобальных поставок памяти. В этой волне структурного дефицита 华邦电, один из ведущих тайваньских производителей NAND Flash, становится наиболее прямым получателем выгоды.
### Рост спроса на ИИ вызывает напряженность в поставках, цены на DDR4 на складе достигли исторических максимумов
За последний год уровень запасов DRAM снизился с 13-17 недель в начале года до 2-4 недель в октябре, что является беспрецедентным уровнем. Еще более привлекает внимание обратная ситуация с спросом и предложением по стандарту DDR4 — ведущие производители приоритетно выделяют мощности для новых поколений DDR5 и HBM, что резко сокращает поставки DDR4, несмотря на устойчивый спрос со стороны корпоративных систем хранения данных.
Эта несогласованность привела к удивительным ценовым скачкам: контрактные цены на DDR4 с начала года выросли с примерно 1 нов Taiwan доллар за единицу до 5-6 раз в четвертом квартале. На рынке даже возникла редкая ситуация «обратной ценовой кривой» — цены на DDR4 на складе временно превысили DDR5, что свидетельствует о серьезных проблемах с поставками.
### Выручка 华邦电 достигла трехлетнего рекорда, аналитики и институциональные инвесторы настроены оптимистично
В ноябре выручка 华邦电 составила 8,629 млрд тайваньских долларов, что на 5% больше по сравнению с предыдущим месяцем и на 38,7% выше за год, достигнув трехлетнего максимума. За одиннадцать месяцев совокупная выручка составила 79,635 млрд, что на 5,85% больше по сравнению с прошлым годом, что свидетельствует о заметном ускорении темпов роста.
Институциональные инвесторы недавно выпустили ряд оптимистичных отчетов, предполагая, что рост цен на память может продолжиться до 2026 года, особенно подчеркивая острую нехватку поставок 16Gb DDR4 — текущие цены на складе достигли около 100 долларов за единицу, значительно превышая отраслевую ориентировочную цену в 45,5 долларов. В прогнозе на 2026 год ожидается дальнейший рост контрактных цен на DRAM, при этом DDR5 и DDR4 оцениваются в 17 и 12 юаней за единицу соответственно, что указывает на то, что этот цикл роста продлится как минимум до следующего года.
### Цена акций растет третий день подряд, технический и фандомный анализ показывают синхронное укрепление
Сегодня 华邦电 достигла лимита роста, закрывшись на 67,9 юаней, что на 9,87% выше. Объем торгов и торговая стоимость одновременно лидируют на тайваньском рынке. Это третий подряд день роста цены, суммарный прирост составил 20,37%, что также подтолкнуло к росту компании Вангонг, Ли Цзицзин и других участников сектора памяти.
Технический анализ показывает, что сегодня цена достигла верхней границы полосы Боллинджера, уверенно удерживаясь выше краткосрочных скользящих средних, формируя явную бычью картину. Фондовые потоки также активны: три крупнейших институциональных инвестора на прошлой неделе одновременно увеличили свои позиции, в сумме купив более 50 000 контрактов, из которых иностранные инвесторы приобрели более 42 000 за неделю.
### Старт расширения производственных мощностей по двум осям, захват возможностей структурного дефицита
Для использования рыночных возможностей 华邦电 реализует стратегию расширения мощностей по двум осям: завод в Таичу продолжает увеличивать производство NOR Flash, NAND Flash и зрелых технологий DRAM; новый завод в Гаосюне увеличит месячное производство DRAM с текущих 15 000 пластин до 24-25 тысяч, планируется начать массовое производство 16-нанометровых передовых технологий в первом квартале 2026 года, а с 2027 года технология CUBE для сборки на уровне пластин будет способствовать росту доходов.
Ожидается, что к 2026 году глобальный дефицит DDR4 увеличится более чем на 10%. Под воздействием спроса со стороны искусственного интеллекта, промышленного компьютера, автомобильной электроники и других приложений, 华邦电 может войти в наиболее прибыльную фазу своего цикла роста в индустрии памяти. Запасы тайваньских производителей памяти снизились с 185 до 140 дней, что явно улучшает показатели выручки и прибыли, а дальнейшее развитие сектора будет тесно связано с изменениями цен на память и реальным спросом на конечных рынках.
Посмотреть Оригинал
На этой странице может содержаться сторонний контент, который предоставляется исключительно в информационных целях (не в качестве заявлений/гарантий) и не должен рассматриваться как поддержка взглядов компании Gate или как финансовый или профессиональный совет. Подробности смотрите в разделе «Отказ от ответственности» .
## Пиковый рост памяти в фокусе тайваньского рынка: 华邦电 лидирует в рейтинге производителей NAND Flash, фундаментальные изменения за ценовым лимитом
Рынок памяти претерпевает кардинальные изменения в поставках. Международные крупные компании, стремясь захватить рынок высокопроизводительной памяти (HBM), переводят мощности из традиционных DRAM и флеш-памяти (Flash), что приводит к заметному дефициту глобальных поставок памяти. В этой волне структурного дефицита 华邦电, один из ведущих тайваньских производителей NAND Flash, становится наиболее прямым получателем выгоды.
### Рост спроса на ИИ вызывает напряженность в поставках, цены на DDR4 на складе достигли исторических максимумов
За последний год уровень запасов DRAM снизился с 13-17 недель в начале года до 2-4 недель в октябре, что является беспрецедентным уровнем. Еще более привлекает внимание обратная ситуация с спросом и предложением по стандарту DDR4 — ведущие производители приоритетно выделяют мощности для новых поколений DDR5 и HBM, что резко сокращает поставки DDR4, несмотря на устойчивый спрос со стороны корпоративных систем хранения данных.
Эта несогласованность привела к удивительным ценовым скачкам: контрактные цены на DDR4 с начала года выросли с примерно 1 нов Taiwan доллар за единицу до 5-6 раз в четвертом квартале. На рынке даже возникла редкая ситуация «обратной ценовой кривой» — цены на DDR4 на складе временно превысили DDR5, что свидетельствует о серьезных проблемах с поставками.
### Выручка 华邦电 достигла трехлетнего рекорда, аналитики и институциональные инвесторы настроены оптимистично
В ноябре выручка 华邦电 составила 8,629 млрд тайваньских долларов, что на 5% больше по сравнению с предыдущим месяцем и на 38,7% выше за год, достигнув трехлетнего максимума. За одиннадцать месяцев совокупная выручка составила 79,635 млрд, что на 5,85% больше по сравнению с прошлым годом, что свидетельствует о заметном ускорении темпов роста.
Институциональные инвесторы недавно выпустили ряд оптимистичных отчетов, предполагая, что рост цен на память может продолжиться до 2026 года, особенно подчеркивая острую нехватку поставок 16Gb DDR4 — текущие цены на складе достигли около 100 долларов за единицу, значительно превышая отраслевую ориентировочную цену в 45,5 долларов. В прогнозе на 2026 год ожидается дальнейший рост контрактных цен на DRAM, при этом DDR5 и DDR4 оцениваются в 17 и 12 юаней за единицу соответственно, что указывает на то, что этот цикл роста продлится как минимум до следующего года.
### Цена акций растет третий день подряд, технический и фандомный анализ показывают синхронное укрепление
Сегодня 华邦电 достигла лимита роста, закрывшись на 67,9 юаней, что на 9,87% выше. Объем торгов и торговая стоимость одновременно лидируют на тайваньском рынке. Это третий подряд день роста цены, суммарный прирост составил 20,37%, что также подтолкнуло к росту компании Вангонг, Ли Цзицзин и других участников сектора памяти.
Технический анализ показывает, что сегодня цена достигла верхней границы полосы Боллинджера, уверенно удерживаясь выше краткосрочных скользящих средних, формируя явную бычью картину. Фондовые потоки также активны: три крупнейших институциональных инвестора на прошлой неделе одновременно увеличили свои позиции, в сумме купив более 50 000 контрактов, из которых иностранные инвесторы приобрели более 42 000 за неделю.
### Старт расширения производственных мощностей по двум осям, захват возможностей структурного дефицита
Для использования рыночных возможностей 华邦电 реализует стратегию расширения мощностей по двум осям: завод в Таичу продолжает увеличивать производство NOR Flash, NAND Flash и зрелых технологий DRAM; новый завод в Гаосюне увеличит месячное производство DRAM с текущих 15 000 пластин до 24-25 тысяч, планируется начать массовое производство 16-нанометровых передовых технологий в первом квартале 2026 года, а с 2027 года технология CUBE для сборки на уровне пластин будет способствовать росту доходов.
Ожидается, что к 2026 году глобальный дефицит DDR4 увеличится более чем на 10%. Под воздействием спроса со стороны искусственного интеллекта, промышленного компьютера, автомобильной электроники и других приложений, 华邦电 может войти в наиболее прибыльную фазу своего цикла роста в индустрии памяти. Запасы тайваньских производителей памяти снизились с 185 до 140 дней, что явно улучшает показатели выручки и прибыли, а дальнейшее развитие сектора будет тесно связано с изменениями цен на память и реальным спросом на конечных рынках.