AMD представила AI-ускорювач MI455X; швидкість пам’яті HBM4 зросла в 2,9 раза порівняно з попереднім поколінням

AMD 22 липня в рамках щорічної події «AMD Advancing AI 2026» у виставковому центрі Moscone в Сан-Франциско (Каліфорнія) представила новий AI-прискорювач Instinct MI455X, який порівняно з попереднім поколінням MI355X (з 8 шарами HBM3E, ємність 288GB) отримав підвищення ємності в 1,5 раза та швидкості в 2,9 раза.

Специфікації HBM4 для AMD MI455X

HBM4 для MI455X є результатом таких ключових покращень:

· Порівняння поколінь (MI455X HBM4 vs MI355X HBM3E)

· Кількість шарів: 12 шарів vs 8 шарів (+4 шари)

· Ємність на один чип: 432GB vs 288GB (зростання в 1,5 раза)

· Пропускна здатність: 23,3 TB/s vs близько 8 TB/s (зростання в 2,9 раза)

· Ширина каналів: 2048 біт vs 1024 біт (подвоєння)

· Загальна обчислювальна продуктивність: приблизно в 4 рази вища, ніж у попереднього покоління

Dieckmann пояснив, що приріст швидкості досягається не лише за рахунок підвищення тактової частоти, а завдяки одночасному збільшенню кількості стеків (8 шарів → 12 шарів) і подвоєнню ширини з’єднувальних каналів (1024 біт → 2048 біт).

Інтеграція MI455X: пряме з’єднання з CPU на швидкості 256GB/s

CPU, який працює з MI455X, — це процесор серверного класу AMD шостого покоління (EPYC Gen6). Він під’єднується до GPU напряму через спеціалізовані канали, а швидкість передачі даних досягає 256GB/с, що дозволяє CPU без затримок звертатися до пам’яті GPU й усуває «вузькі місця» під час обміну даними. На рівні системи Helios в одному стійковому шасі можна інтегрувати до 72 одиниць MI455X, а сумарна ємність HBM4 досягає 31TB. Пропускна здатність пам’яті може сягати 1,7 PB/s, забезпечуючи підвищення ефективності пам’яті від рівня кристала до рівня стійки.

Samsung Electronics як основний постачальник HBM4

Один із керівників AMD, який дав інтерв’ю на місці, розкрив, що Samsung Electronics надаватиме для MI455X більшу частину пам’яті HBM4. Підготовлений Samsung продукт HBM4 використовує 12-шарову конструкцію, має обсяг близько 36GB, застосовує 10-нм техпроцес (1c), а швидкість передачі на один стійк становить 13Gbps. Пропускна здатність однієї стекової упаковки — 3,3TB/s, і, як стверджується, вона значно швидша за попереднє покоління HBM3E.

AMD і Samsung Electronics уже підписали MOU в березні 2026 року в офісі Samsung у Pyeongtaek, щоб розширити співпрацю в сегменті HBM4; керівник AMD також зазначив, що партнерство буде посилено на етапі наступного покоління HBM4E. Мета — 16 шарів стека, близько 60GB ємності та пропускна здатність у десятки TB/s.

Поширені запитання

Які специфікації HBM4 має AMD MI455X і чим вони відрізняються від MI355X?

MI455X оснащений HBM4 із 12 шарами стеку, ємність одного кристала 432GB, пропускна здатність 23,3 TB/s; порівняно з попереднім MI355X із 8 шарами стеку HBM3E (ємність 288GB) ємність зросла в 1,5 раза, а швидкість — у 2,9 раза; загальна обчислювальна продуктивність у приблизно 4 рази вища, ніж у попереднього покоління.

Яку роль відіграє Samsung Electronics у постачанні HBM4 для AMD MI455X?

За словами керівника AMD в інтерв’ю на місці, Samsung Electronics надаватиме для MI455X більшу частину пам’яті HBM4; продукт Samsung HBM4 використовує 12-шарову конструкцію, обсяг 36GB, застосовує 10-нм техпроцес (1c), а пропускна здатність однієї стекової упаковки досягає 3,3TB/s; AMD і Samsung Electronics також підписали MOU в березні 2026 року для розширення співпраці та спільної розробки наступного покоління HBM4E.

Коли було підписано MOU між AMD і Samsung Electronics і який обсяг співпраці?

AMD і Samsung Electronics підписали меморандум про взаєморозуміння (MOU) у березні 2026 року в офісній локації Samsung у Pyeongtaek. Метою є розширення співпраці в галузі наступного покоління пам’яті (зокрема HBM4); сторони також спільно розробляють HBM4E (сьоме покоління HBM) із ціллю досягти 16 шарів стеку, близько 60GB ємності та пропускну здатність у десятки TB/s.