Tính đến ngày 30 tháng 6 năm 2026, Roundhill chính thức niêm yết Micron, Samsung, SK Hynix, SanDisk và Kioxia là các khoản tiếp xúc chủ lực của quỹ. Theo hồ sơ công khai, Samsung Electronics, Micron và SK Hynix mỗi bên chiếm gần hoặc hơn một phần tư danh mục đầu tư, trở thành những doanh nghiệp then chốt thúc đẩy hiệu suất DRAM ETF.
Các doanh nghiệp này không cung cấp sản phẩm giống nhau hoàn toàn. Micron, Samsung và SK Hynix tập trung vào DRAM, HBM và NAND, còn SanDisk và Kioxia ưu tiên NAND flash, SSD doanh nghiệp và khu lưu trữ dung lượng lớn. Sự đa dạng này giúp quỹ nắm bắt cả phân khúc xử lý dữ liệu AI và lưu trữ dài hạn.
Các công ty chủ yếu được DRAM ETF nắm giữ
DRAM ETF tập trung vào các nhà sản xuất khu lưu trữ hàng đầu thế giới, không phủ toàn bộ chuỗi cung ứng bán dẫn. Theo bản cáo bạch quỹ, các công ty đủ điều kiện thường phải có ít nhất 50% doanh thu hoặc lợi nhuận từ HBM, DRAM, NAND, SSD dựa trên NAND, NOR, HDD hoặc các hoạt động khu lưu trữ chuyên biệt và nhúng.
Roundhill yêu cầu các công ty được chọn phải có vốn hóa thị trường tối thiểu 10 tỷ USD và khối lượng giao dịch trung bình mỗi ngày ít nhất 5 triệu USD. Tiêu chí này đảm bảo danh mục tập trung vào doanh nghiệp khu lưu trữ quy mô lớn, được công nhận toàn cầu và có thanh khoản mạnh.
Tính đến ngày 30 tháng 6 năm 2026, các khoản tiếp xúc chủ lực được công bố như sau. Danh mục và tỷ trọng có thể thay đổi do quản lý chủ động, biến động giá thị trường và cân bằng lại hàng quý, không nên xem là cố định vĩnh viễn.
| Công ty chủ lực |
Trọng tâm khu lưu trữ chính |
Vai trò trong danh mục đầu tư |
| Samsung Electronics |
HBM, DRAM, NAND, SSD doanh nghiệp |
Tiếp xúc lãnh đạo khu lưu trữ toàn cầu đa dạng |
| Micron Technology |
HBM, DRAM, NAND, SSD trung tâm dữ liệu |
Tiếp xúc khu lưu trữ niêm yết tại Mỹ |
| SK Hynix |
HBM, DRAM, NAND |
Tiếp xúc bộ nhớ AI băng thông cao và máy chủ chuyên sâu |
| SanDisk |
NAND, SSD doanh nghiệp & tiêu dùng |
Mở rộng phạm vi bộ nhớ flash và khu lưu trữ dung lượng lớn |
| Kioxia Holdings |
NAND, BiCS FLASH, SSD doanh nghiệp |
Tiếp xúc bộ nhớ flash và AI của Nhật Bản |
Danh mục không áp dụng phân bổ tỷ trọng bằng nhau. DRAM ETF sử dụng phương pháp phân bổ tỷ trọng vốn hóa thị trường điều chỉnh, tính cả thị phần khu lưu trữ và tỷ trọng doanh thu khu lưu trữ, nên các doanh nghiệp quy mô lớn và tập trung vào khu lưu trữ thường nhận tỷ trọng cao hơn.
Vai trò của Micron trong DRAM ETF
Micron là doanh nghiệp khu lưu trữ niêm yết tại Mỹ hàng đầu và nhà cung cấp bộ nhớ đa sản phẩm trong DRAM ETF. Dải sản phẩm của Micron bao gồm HBM, DRAM truyền thống, NAND và khu lưu trữ trung tâm dữ liệu, đáp ứng nhu cầu bộ nhớ AI accelerator, bộ nhớ hệ thống máy chủ và lưu trữ dài hạn.
Trong hạ tầng AI, sản phẩm HBM của Micron chủ yếu cung cấp dữ liệu băng thông cao liên tục cho GPU và các accelerator khác. Công ty cũng cung cấp DDR, LPDDR, NAND và SSD trung tâm dữ liệu, nên hoạt động không chỉ phụ thuộc vào HBM mà còn hỗ trợ nhiều tầng của chuỗi dữ liệu AI.
Micron là thành phần cốt lõi của DRAM ETF, có thể tiếp cận trực tiếp qua thị trường chứng khoán Mỹ. Khác với Samsung và SK Hynix chủ yếu giao dịch tại châu Á, Micron cung cấp cho quỹ khả năng tiếp xúc trực tiếp bằng USD và niêm yết tại Mỹ, hỗ trợ cân bằng danh mục toàn cầu.
Theo dữ liệu Roundhill ngày 30 tháng 6 năm 2026, tỷ trọng Micron khoảng 24,82%, nằm trong nhóm ba khoản nắm giữ lớn nhất. Giá cổ phiếu và hiệu quả hoạt động của Micron có thể tác động mạnh đến NAV và giá thị trường DRAM ETF.
Samsung Electronics và SK Hynix cung cấp tiếp xúc HBM và DRAM như thế nào
Samsung Electronics và SK Hynix là cửa ngõ chính của DRAM ETF đến ngành bộ nhớ Hàn Quốc. Cả hai cung cấp DRAM, HBM và NAND, nhưng Samsung có danh mục kinh doanh đa dạng hơn, còn SK Hynix tập trung vào bán dẫn bộ nhớ, dẫn đến mức độ nhạy cảm khác nhau với chu kỳ khu lưu trữ.
Trong DRAM ETF, Samsung Electronics cung cấp tiếp xúc rộng với ngành bộ nhớ. Sản phẩm gồm DRAM máy chủ, HBM, NAND và SSD doanh nghiệp, và năm 2026 đang triển khai thương mại hóa HBM4 và triển khai sản phẩm HBM4E, định vị danh mục phản ánh nhu cầu bộ nhớ AI truyền thống và nâng cao.
SK Hynix cung cấp tiếp xúc HBM và DRAM tập trung cao. Công ty định vị là nhà cung cấp DRAM và NAND, liên tục mở rộng các dòng sản phẩm HBM, AI-DRAM và AI-NAND, khiến hiệu quả hoạt động gắn liền với máy chủ AI, điện toán hiệu suất cao và chu kỳ giá khu lưu trữ.
| Yếu tố so sánh |
Samsung Electronics |
SK Hynix |
| Sản phẩm bộ nhớ chính |
HBM, DRAM, NAND, SSD |
HBM, DRAM, NAND |
| Phạm vi kinh doanh |
Bán dẫn, điện tử tiêu dùng, màn hình, v.v. |
Tập trung vào bán dẫn khu lưu trữ |
| Vai trò ngành AI |
Bao phủ HBM, bộ nhớ máy chủ, NAND rộng |
Nhạy cảm cao với nhu cầu HBM & bộ nhớ AI |
| Giá trị với quỹ |
Tiếp xúc công nghệ vốn hóa lớn toàn diện |
Tiếp xúc ngành khu lưu trữ thuần khiết |
| Biến số tác động chính |
Động lực kinh doanh khu lưu trữ & ngoài khu lưu trữ |
Tăng tốc HBM, chu kỳ DRAM/NAND, công suất |
| Đặc điểm khu vực |
Niêm yết tại Hàn Quốc |
Niêm yết tại Hàn Quốc |
Tính đến ngày 30 tháng 6 năm 2026, Roundhill báo cáo tỷ trọng Samsung Electronics là 25,55% và SK Hynix là 23,60%. Hai doanh nghiệp này chiếm tỷ trọng lớn trong quỹ, nên động lực thị trường Hàn Quốc, tỷ giá KRW và giờ giao dịch địa phương cũng có thể ảnh hưởng đến định giá và giao dịch DRAM ETF.
Kioxia, SanDisk và SSD doanh nghiệp bổ sung phân khúc NAND như thế nào
Kioxia và SanDisk cung cấp cho DRAM ETF tiếp xúc mục tiêu với NAND flash và SSD doanh nghiệp. Khác với Micron, Samsung và SK Hynix bao phủ cả HBM và DRAM, hai doanh nghiệp này tập trung vào khu lưu trữ không biến đổi, bổ sung phạm vi lưu trữ dữ liệu dài hạn, SSD trung tâm dữ liệu và flash dung lượng lớn.
Kioxia chuyên về bộ nhớ flash và SSD, với trọng tâm lâu dài vào BiCS FLASH và các công nghệ NAND 3D. Công ty hướng tới thị trường lưu trữ trung tâm dữ liệu và doanh nghiệp, phát triển SSD băng thông cao, IOPS cao và dung lượng lớn để hỗ trợ suy luận AI và xử lý dữ liệu doanh nghiệp.
SanDisk đáp ứng chu kỳ dữ liệu AI qua SSD doanh nghiệp, nền tảng NAND và sản phẩm NVMe dung lượng lớn. Giải pháp lưu trữ doanh nghiệp của SanDisk bao gồm thu thập dữ liệu, huấn luyện mô hình, lưu checkpoint và lưu trữ dữ liệu suy luận, mang lại cho quỹ tiếp xúc lưu trữ liên tục khác biệt với HBM ngắn hạn.
Kioxia và SanDisk hợp tác phát triển công nghệ flash 3D và sản xuất. Họ cùng phát triển NAND thế hệ mới và sẽ bắt đầu sản xuất flash 3D nâng cao vào năm 2026. Dù là các khoản nắm giữ độc lập, năng lực công nghệ và chuỗi cung ứng của họ có sự liên kết chặt chẽ.
Các doanh nghiệp khu lưu trữ toàn cầu tạo cấu trúc danh mục đa dạng như thế nào
DRAM ETF đạt tiếp xúc ngành bộ nhớ xuyên thị trường bằng cách kết hợp doanh nghiệp Mỹ, Hàn Quốc và Nhật Bản. Micron đại diện cho Mỹ, Samsung và SK Hynix cung cấp tiếp xúc HBM và DRAM Hàn Quốc, còn Kioxia và SanDisk củng cố chuỗi cung ứng NAND và SSD Nhật Bản và toàn cầu.
Sự phân bổ địa lý này giảm phụ thuộc vào một quốc gia hoặc thị trường chứng khoán đơn lẻ, nhưng không đồng nghĩa với đa dạng hóa cao. Bản cáo bạch quỹ xác định DRAM ETF là quỹ không đa dạng hóa, lưu ý danh mục sẽ đầu tư mạnh vào các tổ chức phát hành châu Á và Hàn Quốc, nên một số doanh nghiệp, quốc gia hoặc sự kiện ngành vẫn có thể ảnh hưởng lớn đến quỹ.
Đa dạng hóa trong quỹ chủ yếu thể hiện qua loại sản phẩm và nơi niêm yết, không phải số lượng thành phần. Các khoản nắm giữ cốt lõi được phân chia như sau:
- HBM và DRAM nâng cao: SK Hynix, Samsung, Micron
- DRAM máy chủ truyền thống: Micron, Samsung, SK Hynix
- NAND và SSD doanh nghiệp: Kioxia, SanDisk, Samsung, Micron
- Công nghệ đa dạng: Samsung Electronics
- Khu lưu trữ niêm yết tại Mỹ: Micron, SanDisk
Cấu trúc này giúp DRAM ETF bao phủ nhu cầu bộ nhớ AI accelerator, bộ nhớ hệ thống máy chủ và lưu trữ dài hạn. Tuy nhiên, do mức độ tập trung ngành cao, ba doanh nghiệp lớn nhất vẫn có thể chiếm phần lớn tỷ trọng danh mục.
Điều chỉnh danh mục và cân bằng lại hàng quý tác động đến DRAM ETF như thế nào
Điều chỉnh danh mục và cân bằng lại hàng quý quyết định cách DRAM ETF phân bổ lại các khoản tiếp xúc khi ngành thay đổi. Nhà quản lý quỹ sử dụng phương pháp riêng để điều chỉnh danh mục ít nhất mỗi quý, tính lại tỷ trọng doanh nghiệp dựa trên vốn hóa thị trường điều chỉnh, thị phần khu lưu trữ và tỷ trọng doanh thu khu lưu trữ.
Tỷ trọng của một doanh nghiệp thường giới hạn ở mức 25%, nhưng biến động thị trường thực tế có thể khiến khoản nắm giữ tạm thời vượt hoặc thấp hơn mục tiêu này giữa các kỳ cân bằng lại. Khoản nắm giữ công bố của Roundhill còn tổng hợp vị thế cổ phiếu trực tiếp và tiếp xúc từ hoán đổi tổng lợi nhuận, nên tỷ trọng công khai có thể không hoàn toàn khớp với số lượng cổ phiếu thực tế của quỹ.
Cân bằng lại có thể thay đổi cấu trúc quỹ theo ba cách: (1) nếu vốn hóa thị trường hoặc thị phần khu lưu trữ của doanh nghiệp tăng, tỷ trọng mục tiêu có thể tăng; (2) nếu tỷ trọng doanh thu khu lưu trữ giảm hoặc không còn đáp ứng tiêu chí sàng lọc, khoản nắm giữ có thể bị giảm; (3) doanh nghiệp khu lưu trữ mới niêm yết hoặc thanh khoản cao hơn có thể được thêm vào danh mục.
Quản lý chủ động giúp quỹ thích ứng với biến động ngành HBM, DRAM và NAND, nhưng cũng tạo ra rủi ro do phán đoán của nhà quản lý. Nếu nhà quản lý đánh giá sai chu kỳ sản phẩm, năng lực cạnh tranh doanh nghiệp hoặc phân bổ, DRAM ETF có thể kém hiệu quả so với các chỉ số khu lưu trữ hoặc bán dẫn rộng hơn.
Tóm tắt
Danh mục cốt lõi của DRAM ETF gồm các doanh nghiệp khu lưu trữ hàng đầu toàn cầu: Micron, Samsung Electronics, SK Hynix, SanDisk và Kioxia. Ba doanh nghiệp đầu cung cấp tiếp xúc chủ đạo với HBM, DRAM và NAND, còn hai doanh nghiệp sau bổ sung bộ nhớ flash và SSD doanh nghiệp, giúp quỹ bao phủ toàn bộ nhu cầu từ bộ nhớ AI accelerator đến lưu trữ dữ liệu dài hạn.
Quỹ quản lý danh mục qua sàng lọc chủ động, phân bổ tỷ trọng vốn hóa thị trường điều chỉnh và cân bằng lại hàng quý, thiết lập tiếp xúc qua cổ phiếu trực tiếp, chứng chỉ lưu ký và hoán đổi tổng lợi nhuận. Dù danh mục trải rộng Mỹ, Hàn Quốc và Nhật Bản, tỷ trọng vẫn tập trung vào một số nhà sản xuất khu lưu trữ lớn, nên hiệu quả hoạt động của các doanh nghiệp cốt lõi ảnh hưởng lớn đến DRAM ETF.
Câu hỏi thường gặp
Những doanh nghiệp nào hiện là khoản nắm giữ chính của DRAM ETF?
Tính đến ngày 30 tháng 6 năm 2026, các khoản tiếp xúc chủ đạo là Samsung Electronics, Micron, SK Hynix, SanDisk và Kioxia. Khoản nắm giữ và tỷ trọng thực tế sẽ được điều chỉnh liên tục.
Ba khoản nắm giữ lớn nhất của DRAM ETF là gì?
Công bố chính thức cho thấy Samsung Electronics, Micron và SK Hynix là ba thành phần lớn nhất, cùng chiếm phần lớn tiếp xúc HBM, DRAM và NAND của quỹ.
Vì sao Micron có tỷ trọng lớn trong DRAM ETF?
Micron bao phủ HBM, DRAM, NAND và SSD trung tâm dữ liệu, là doanh nghiệp khu lưu trữ niêm yết tại Mỹ dẫn đầu, dẫn đến mức độ tập trung kinh doanh và thanh khoản cao.
Vì sao Samsung Electronics là khoản nắm giữ cốt lõi của DRAM ETF?
Samsung Electronics vận hành các mảng HBM, DRAM máy chủ, NAND và SSD doanh nghiệp, cung cấp cho quỹ tiếp xúc toàn diện với nhiều phân khúc khu lưu trữ.
Vai trò của Kioxia và SanDisk trong quỹ là gì?
Kioxia và SanDisk chủ yếu cung cấp tiếp xúc với NAND, bộ nhớ flash và SSD doanh nghiệp, bổ sung cho các mảng HBM và DRAM của Micron, Samsung và SK Hynix.
DRAM ETF cân bằng lại danh mục nắm giữ bao lâu một lần?
DRAM ETF cân bằng lại ít nhất mỗi quý, nhà quản lý điều chỉnh tỷ trọng danh mục dựa trên vốn hóa thị trường, thị phần kinh doanh khu lưu trữ, thị phần và thanh khoản.
