Samsung, SK Hynix, Micron bị kiện tập thể liên bang tại Hoa Kỳ, bị cáo buộc thông đồng tạo ra khủng hoảng cung ứng bộ nhớ


Vụ kiện cáo buộc rằng ba công ty này đã lấy lý do sản xuất HBM để cố tình giảm sản lượng DRAM phổ thông như DDR3, DDR4. Hiện tại, nguyên đơn đang viện dẫn tiền lệ mà Bộ Tư pháp Hoa Kỳ đã từng phạt các doanh nghiệp liên quan vào những năm 2000 để hỗ trợ cho yêu cầu này.
Xem bản gốc
Trang này có thể chứa nội dung của bên thứ ba, được cung cấp chỉ nhằm mục đích thông tin (không phải là tuyên bố/bảo đảm) và không được coi là sự chứng thực cho quan điểm của Gate hoặc là lời khuyên về tài chính hoặc chuyên môn. Xem Tuyên bố từ chối trách nhiệm để biết chi tiết.
  • Phần thưởng
  • Bình luận
  • Đăng lại
  • Retweed
Bình luận
Thêm một bình luận
Thêm một bình luận
Không có bình luận
  • Đã ghim