伯恩斯坦延長記憶體市場展望

華爾街投資銀行伯恩斯坦發布了最新的全球儲存產業報告，結論明確：半導體記憶體多頭市場尚未結束。根據該公司的分析，目前的上升週期預計至少持續到 2027 年，與認為記憶體股票在 2026 年上半年驚人漲幅後已觸頂的看法相反。

DRAM 與 NAND 價格持續加速上漲

報告強調所有主要記憶體領域持續強勁。6 月 DRAM 合約價格再次上漲，傳統 DRAM 預計 2026 年第二季較 2026 年第一季上漲約 74%。

其他關鍵預測包括：

- 伺服器 DRAM：預計上漲 60% 至 67%
- 行動 DRAM：接近 80% 的價格漲幅
- PC DRAM 現貨價格：6 月上漲 5.6% 至 11.5%
- 伺服器 DRAM 現貨價格：上漲 6.1% 至 26.4%
- NAND 合約價格：預估季增 65% 至 70%，主要受強勁的 SSD 和行動 NAND 需求支撐。

這些數字顯示，企業和消費性記憶體市場的價格動能依然穩固。

HBM4 變得更有價值

報告中最具影響力的預測之一聚焦於 HBM4，這項為下一代 AI 加速器提供動力的先進記憶體技術。

伯恩斯坦預估 HBM4 單價將從目前的每 GB 約 16.6 美元，到 2027 年升至每 GB 約 37 美元，漲幅超過兩倍。

若套用至 Nvidia 的 Vera Rubin NVL72 平台，影響更為顯著。每個機架約包含：

- 20.7 TB 的 HBM4
- 54 TB 的 LPDDR5X

以目前價格計算，單一機架的記憶體內容就超過 200 萬美元。根據伯恩斯坦的 2027 年預測，該記憶體成本將近乎翻倍，相當於在一個產品週期內，每機架的記憶體價值增加 435%。

半導體領導者持續受惠

伯恩斯坦也上調了 ASML 的展望，將該公司評級調升至「優於大盤」，並將目標價從 935 美元上調至 1528 美元。該公司現在將 ASML 列為 2026 年歐洲首選半導體設備股。

與此同時，SK 海力士的獲利預期持續改善：

- 2026 年第二季 DRAM 毛利率：90.9%
- 2026 年第四季 DRAM 毛利率預估：92.7%

這些預測反映了目前支持先進記憶體製造商的異常強勁的定價環境。

供給限制仍是關鍵驅動力

需求並非支持價格上漲的唯一因素。根據伯恩斯坦的說法，記憶體製造商已售罄 2026 年的產能，而有意義的新供給預計要到 2027 年才會進入市場。

進一步支持看多展望的是，瑞銀將其 DRAM 價格預測翻倍，並預期供給限制將持續到 2028 年第二季，強化了產業有利的定價週期可能遠超當前市場假設的預期。

最終觀點

伯恩斯坦的最新研究顯示，半導體記憶體產業仍處於長期擴張的早期階段，而非接近高峰。強大的 AI 基礎設施需求、吃緊的供給狀況、HBM 採用率上升以及製造商獲利能力改善，持續支持記憶體多頭市場在 2027 年及之後仍有顯著上漲空間的觀點。

#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
@Gate_Square