SK 海力士加速建造永仁「Y1」晶圓廠，啟動設備採購

SK hynix 已展開針對其在永仁新記憶體生產基地建設的全規模準備。據悉，公司近期已開始向關鍵供應商下單採購先進 DRAM 生產設備。討論中的初期投資規模約為每月 20,000 片晶圓產能。
依據 7 月 14 日半導體與設備產業消息人士指出，SK hynix 目前正針對其永仁 Y1 晶圓廠下單採購設備。
明年 2 月將設立試產線，設備供應商加速準備
Y1 是 SK hynix 正在開發的位於京畿道永仁市機興邑、清州區（Wonsam-myeon, Cheoin-gu, Yongin, Gyeonggi Province）大型半導體集群中的首座晶圓廠。
首座晶圓廠將由兩棟結構建築與六間潔淨室組成。目前正在進行第一間潔淨室，也就是第 1 階段（Phase 1）的施工。SK hynix 原本計畫在明年 5 月開放 Y1 第 1 階段，但已決定將時程略微提前至 2 月。
配合修正後的時程表，據悉 SK hynix 已開始向多家關鍵供應商下單，準備在 Y1 第 1 階段安裝設備。公司計畫在明年 2 月開始設立試產，也就是「一次通過（one-pass）」產線。預計擴大產能至約每月 20,000 片晶圓的全面設備安裝，將在 3 月或 4 月即刻接續展開。
目標產品為第六代 10 奈米級別，也就是 1c 的 DRAM。1c DRAM 是目前商業量產中的最先進 DRAM 世代，應用於 AI 相關的高附加價值 DDR 與 LPDDR 產品。
SK hynix 亦計畫在第七代高頻寬記憶體 HBM4E 中使用 1c DRAM，可能最早於明年就進入全面商業化。
尚未收到設備採購訂單的企業也在加速準備。原因在於 SK hynix 正在推進設備銷售價格的談判時程，提前於安裝之前進行。
「SK hynix 通常會在年底進行銷售價格談判，但已決定從第三季一開始就啟動流程。」一名半導體設備產業人士表示。「這是為了盡可能快地將設備導入 Y1 第 1 階段所做的前置作業。」
同時，據報 SK hynix 正在制定策略，以因應目前半導體供需狀況，加速大型永仁半導體集群的開發。
永仁半導體集群將總投資 600 兆韓元（KRW 600 trillion），由四座晶圓廠組成。原本預計第四座晶圓廠將於 2045 年完工，但公司已將時程提前 12 年至 2033 年。
另一名設備產業人士也表示：「預期 SK hynix 將在今年下半年開始建造 Y1 第 2 與第 3 階段的潔淨室。整體而言，晶圓廠建設時程非常緊迫。」