SK 海力士加快建设永仁“Y1”晶圆厂，启动设备采购

SK 海力士已开始对其位于永仁的新内存生产基地进行大规模建设前的全流程准备。据悉，该公司近期已开始向关键供应商下单采购用于先进 DRAM 生产的设备。当前讨论的初期投资对应的产能约为每月 20,000 片晶圆。
据 7 月 14 日来自半导体及设备行业的消息，SK 海力士目前正在为其永仁 Y1 晶圆厂下达设备订单。
明年 2 月设立试产线，设备供应商加紧准备
Y1 是 SK 海力士正在开发的、位于京畿道永仁、Cheoin-gu、Wonsam-myeon 的大型半导体集群中的首座晶圆厂。
首座晶圆厂将包括两栋结构性建筑和六间洁净室。目前正在进行第一间洁净室的施工，即第一期（Phase 1）。SK 海力士原计划在明年 5 月开设 Y1 第一招标阶段（Phase 1），但已决定将时间表略提前至 2 月。
伴随修订后的时间安排，SK 海力士据悉已开始向数家关键供应商下单采购将安装在 Y1 第一阶段（Phase 1）中的设备。公司计划在明年 2 月开始建立试产，即“一趟（one-pass）”线。预计随后在 3 月或 4 月开展旨在将产能扩展至约每月 20,000 片晶圆的全面设备安装。
目标产品为第六代 10 纳米级别，即 1c DRAM。1c DRAM 是目前在商用量产中的最先进 DRAM 代际产品，用于面向 AI 应用的高附加值 DDR 和 LPDDR 产品。
SK 海力士还计划在第七代高带宽内存 HBM4E 中使用 1c DRAM，该产品可能最早在明年实现全面商业化。
尚未收到设备订单的企业也在加速推进准备工作。这是因为 SK 海力士正提前推进设备销售价格的谈判进度，以配合安装时间。
“SK 海力士通常会在年末进行销售价格谈判，但已决定从第三季度一开始就启动流程，”半导体设备行业一位官员表示。“这属于前期准备工作，旨在尽快将设备导入 Y1 第一阶段（Phase 1）。”
与此同时，据报道 SK 海力士正在制定策略，以应对当前半导体供需状况，推动大型永仁半导体集群的加速开发。
永仁半导体集群总投资将达到 600 万亿韩元（KRW 600 trillion），将由四座晶圆厂组成。第四座晶圆厂原计划在 2045 年完成，但公司已将时间表提前 12 年至 2033 年。
另一位设备行业官员表示：“SK 海力士预计将在今年下半年开始为 Y1 第二、第三阶段（Phase 2 and 3）建设洁净室。总体而言，晶圆厂建设进度非常紧张。”