Samsung-Broadcom Menjalin Kemitraan Semikonduktor Hingga $200B AI Tahun 2030

Samsung Electronics menandatangani nota kesepahaman kemitraan strategis dengan Broadcom pada tanggal 24 (waktu setempat) di AI Summit di San Francisco. Kolaborasi ini, senilai lebih dari $200 miliar (sekitar 280 triliun won), akan berlangsung hingga 2030 dan berfokus pada pembangunan infrastruktur inti artificial intelligence generasi berikutnya. Kemitraan ini menanggapi meningkatnya adopsi sirkuit terpadu khusus aplikasi (application-specific integrated circuits/ASIC) oleh perusahaan teknologi besar global, dengan menggabungkan keunggulan desain semikonduktor khusus Broadcom dengan kapabilitas memori, foundry, dan packaging Samsung untuk meningkatkan daya saing semikonduktor AI.

Acara penandatanganan dihadiri oleh Han Jin-man, Presiden Business Foundry Samsung Electronics, Hock Tan, CEO Broadcom, eksekutif dari kedua perusahaan, serta pejabat pemerintah. Presiden Lee Jae-myung dan Ketua Samsung Electronics Lee Jae-yong juga hadir dalam acara tersebut.

Kemitraan Samsung-Broadcom Mencakup Memori, Foundry, dan Packaging hingga 2030

Kedua perusahaan akan memperluas kerja sama di memori, foundry, dan advanced packaging selama lima tahun ke depan. Samsung Electronics akan memasok produk memori canggih termasuk high bandwidth memory (HBM) ke akselerator AI generasi berikutnya milik Broadcom. Kemitraan ini akan menerapkan proses foundry 2-nanometer dan di bawahnya serta teknologi advanced packaging pada produk-produk utama Broadcom.

Samsung Memasok HBM4 dan Menerapkan Proses Foundry 2nm pada Produk Broadcom

Samsung Electronics memproduksi massal dan mengirim HBM4 dengan menerapkan teknologi basis die DRAM 1c dan base die 4nm pada Februari. Pada Mei, perusahaan tersebut memasok sampel HBM4E kepada pelanggan. Memori HBM Samsung akan digunakan untuk meningkatkan kinerja komputasi dan efisiensi daya dari akselerator AI Broadcom.

Di sektor foundry, kemitraan ini akan menerapkan proses 2-nanometer dan di bawahnya pada produk-produk utama Broadcom termasuk semikonduktor komunikasi data berkecepatan tinggi generasi berikutnya. Perusahaan berencana memperpendek periode pengembangan produk dengan menyelaraskan desain semikonduktor, optimisasi proses, packaging, dan produksi massal.

Para Eksekutif Menekankan Solusi Semikonduktor Terintegrasi untuk Era AI

Jeon Young-hyun, Wakil Ketua Samsung Electronics dari Divisi DS, menyatakan bahwa, “di era AI, solusi semikonduktor yang mengintegrasikan memori, logika, dan advanced packaging secara ketat itu penting.” Ia menambahkan, “Kami akan memperluas kerja sama dengan Broadcom untuk mempercepat pengembangan infrastruktur AI masa depan serta memberikan nilai yang lebih besar kepada pelanggan.”

Charlie Kawas, Presiden Broadcom dari Semiconductor Solutions Group, mengatakan, “Melalui kerja sama dengan Samsung Electronics, kami akan menciptakan solusi generasi berikutnya yang dioptimalkan untuk beragam kebutuhan pasar secara bersama-sama.”

FAQ

Berapa nilai kemitraan Samsung-Broadcom yang diumumkan pada tanggal 24?

Kemitraan strategis antara Samsung Electronics dan Broadcom bernilai lebih dari $200 miliar (sekitar 280 triliun won) dan akan berlangsung hingga 2030. Kolaborasi ini mencakup memori, foundry, dan advanced packaging untuk pengembangan infrastruktur AI.

Produk Samsung apa yang akan digunakan Broadcom dalam akselerator AI-nya?

Broadcom akan menggunakan produk high bandwidth memory milik Samsung termasuk HBM4 dan HBM4E pada akselerator AI generasi berikutnya. Samsung memproduksi massal HBM4 pada Februari dan memasok sampel HBM4E kepada pelanggan pada Mei. Kemitraan ini juga akan menerapkan proses foundry 2-nanometer dan di bawahnya dari Samsung pada produk-produk utama Broadcom.