ETF de memória da Roundhill dispara 8% em 5 dias, acumulando alta de mais de 110% desde o lançamento em abril, impulsionado pela demanda por IA

O Roundhill Memory ETF (DRAM-US), que se concentra na indústria global de chips de memória — incluindo DRAM, memória de alta largura de banda (HBM), NAND flash e fabricantes de SSD — subiu mais de 8% nos últimos 5 dias de negociação, impulsionado pelo aumento da demanda por servidores de IA e pela força em principais participações como Micron (MU-US) e SK Hynix. Desde seu lançamento em abril de 2026, o fundo disparou mais de 110%, tornando-se um dos ETFs temáticos em destaque na alta da infraestrutura de IA.

O ETF tem um portfólio concentrado de apenas 16 ações, com aproximadamente US$ 230,3 bilhões em ativos sob gestão e taxa de despesas de 0,65%. Entre as principais participações estão Micron, SK Hynix, SanDisk (SNDK-US), Samsung Electronics, Seagate Technology (STX-US) e Western Digital (WDC-US). A força recente do fundo reflete uma demanda sustentada por chips de memória, à medida que empresas de tecnologia aceleram as expansões de data centers de IA e o desenvolvimento de modelos de IA continua a ganhar velocidade.