A Samsung Electronics está negociando os preços da DRAM de uso geral para o Q3 de 2026. De acordo com informações do setor citadas pelo veículo coreano ZDNET Korea, a meta é aumentar o preço médio de venda (ASP) da DRAM de uso geral em até 20% em relação ao trimestre anterior; para a LPDDR, devido a um "gargalo severo" nos segmentos de servidores e dispositivos móveis, o aumento alvo é superior a 20%.
De acordo com informações do setor citadas pelo ZDNET Korea, a Samsung demonstrou uma postura firme nas negociações de preços do Q3. A meta para o ASP da DRAM de uso geral é de um aumento trimestral de até 20%; para a LPDDR (memória de baixa potência de taxa de dados dupla), devido a um "gargalo severo" simultâneo nos segmentos de servidores e dispositivos móveis, o aumento alvo é superior a 20%. Comparação dos aumentos da Samsung nos dois trimestres anteriores: no Q1, o ASP da DRAM subiu cerca de 90% em relação ao trimestre anterior, e no Q2, cerca de 50 a 60%.
Avaliações de profissionais do setor indicam que a participação de mercado global da Samsung em DRAM de uso geral é a maior, o que lhe confere maior poder de barganha. Além disso, a DRAM de uso geral representa uma parcela maior da produção total da Samsung, sendo a principal razão pela qual seu aumento é mais significativo do que o da SK Hynix.
Profissionais do setor também observaram que os fabricantes de equipamentos originais (OEMs) podem usar a redução de pedidos ou a mudança para outros fornecedores como moeda de troca nas negociações. O aumento final do Q3 ainda está por ser determinado.
De acordo com o relatório mais recente do UBS, as previsões de preços para DRAM e NAND são as seguintes:
Preço da DRAM no Q3: alta de 32% na comparação trimestral (significativamente acima do consenso médio do mercado)
Preço da DRAM no Q4: alta de 18% na comparação trimestral
Preço do NAND no Q3: alta de 30% na comparação trimestral
Preço do NAND no Q4: alta de 12% na comparação trimestral
Essa previsão do UBS está muito acima do consenso médio do mercado, refletindo o otimismo de Wall Street em relação ao superciclo de memória impulsionado pela IA. As projeções acima são previsões pessoais dos analistas do UBS e não constituem recomendações de investimento; os preços reais devem ser baseados nos anúncios oficiais de cada fabricante e nos dados do setor.
A tendência de preços da SK Hynix para o Q3 é relativamente estável, principalmente porque uma parcela maior de seu negócio de memória de alta largura de banda para IA (HBM) é baseada em contratos de longo prazo (LTA), que fixam os preços e são menos afetados pelas flutuações de curto prazo do mercado. A SK Hynix está prestes a realizar um IPO nos EUA na Nasdaq, no valor de US$ 29 bilhões, e o mercado espera que sua capacidade de expansão de capital amplie ainda mais a diferença em relação à Samsung no segmento de HBM.
Em contraste, a Samsung tem uma participação maior no negócio de DRAM de uso geral, sendo mais afetada pelas flutuações de preços à vista, o que torna sua postura mais agressiva nas negociações de aumento de preços do Q3.
De acordo com informações do setor citadas pelo veículo coreano ZDNET Korea, a meta de aumento de preço da Samsung para a DRAM de uso geral no Q3 é de até 20%, e para a LPDDR, acima de 20%. No entanto, o setor também observou que os fabricantes de equipamentos originais podem usar a redução de pedidos ou a mudança para outros fornecedores como moeda de troca, e o aumento final do Q3 ainda está por ser determinado. Os números exatos das transações devem ser baseados nos relatórios financeiros oficiais de cada fabricante.
De acordo com a reportagem, o UBS prevê alta de 32% para DRAM no Q3, 18% no Q4, e para NAND, 30% no Q3 e 12% no Q4. A reportagem afirma que essa previsão está "muito acima do consenso médio do mercado", mas não revela números específicos do consenso. As projeções acima são previsões pessoais dos analistas do UBS e devem ser atualizadas com base em relatórios oficiais de pesquisa de mercado.
De acordo com a reportagem, os três principais fabricantes de memória (Samsung, SK Hynix, Micron) já desviaram cerca de 93% de sua capacidade de produção para HBM. Cada bit de HBM produzido consome cerca de três vezes mais capacidade de wafer do que o DDR5, reduzindo significativamente a oferta de DRAM tradicional. A nova capacidade de wafer só começará a ser disponibilizada em 2027, no mínimo, e a estrutura de aperto da oferta dificilmente será aliviada rapidamente no curto prazo.
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