Samsung Electronics DRAM tăng giá liên tiếp ba quý, mục tiêu Q3 là 20%

三星電子（Samsung Electronics） đang tiến hành đàm phán giá DRAM thông dụng cho quý 3 năm 2026, theo thông tin trong ngành được tờ Hàn Quốc ZDNET dẫn lại, mục tiêu tăng giá trung bình (ASP) của DRAM thông dụng so với quý trước lên tới 20%; LPDDR do có "tắc nghẽn nghiêm trọng" ở máy chủ và thiết bị di động, mức tăng mục tiêu vượt 20%.

Mục tiêu đàm phán giá quý 3 của Samsung: ASP thông dụng tăng tối đa 20%, LPDDR vượt 20%

Theo thông tin trong ngành được tờ ZDNET Hàn Quốc dẫn lại, Samsung thể hiện thái độ cứng rắn trong đàm phán giá quý 3. ASP của DRAM thông dụng (giá trung bình) mục tiêu tăng tối đa 20% so với quý trước; LPDDR (bộ nhớ tốc độ dữ liệu kép công suất thấp) do có "tắc nghẽn nghiêm trọng" đồng thời ở máy chủ và thiết bị di động, mức tăng mục tiêu vượt 20%. So sánh mức tăng của Samsung hai quý trước: Q1 DRAM ASP tăng khoảng 90% so với quý trước, Q2 tăng khoảng 50 đến 60%.

Các chuyên gia trong ngành đánh giá, Samsung có thị phần DRAM thông dụng toàn cầu lớn nhất, giúp họ có sức mạnh đàm phán giá mạnh hơn, cộng với tỷ trọng DRAM thông dụng trong tổng sản lượng của Samsung cao hơn, là nguyên nhân chính khiến mức tăng giá của họ rõ rệt hơn so với SK Hynix.

Các chuyên gia trong ngành cũng lưu ý rằng, các nhà sản xuất thiết bị đầu cuối vẫn có thể dùng việc giảm số lượng đơn hàng hoặc chuyển sang nhà cung cấp khác làm đòn bẩy đàm phán, mức tăng cuối cùng trong quý 3 cần được theo dõi.

UBS nâng dự báo giá bộ nhớ: Dự báo DRAM và NAND từng quý Q3/Q4

Theo báo cáo mới nhất của UBS (Ngân hàng Thụy Sĩ), dự báo giá DRAM và NAND như sau:

Giá DRAM Q3: tăng 32% so với quý trước (cao hơn đáng kể so với đồng thuận thị trường trung bình)

Giá DRAM Q4: tăng 18% so với quý trước

Giá NAND Q3: tăng 30% so với quý trước

Giá NAND Q4: tăng 12% so với quý trước

Dự báo này của UBS cao hơn nhiều so với đồng thuận thị trường trung bình, phản ánh sự lạc quan mạnh mẽ của Phố Wall về chu kỳ siêu bộ nhớ do AI thúc đẩy. Trên đây là dự báo cá nhân của các nhà phân tích UBS, không cấu thành lời khuyên đầu tư; giá thực tế căn cứ vào thông báo chính thức của các nhà sản xuất và dữ liệu ngành.

Lý do SK Hynix định giá ổn định: Hợp đồng dài hạn HBM bảo vệ và chuẩn bị niêm yết tại Mỹ

Xu hướng giá quý 3 của SK Hynix tương đối ổn định, nguyên nhân chính là tỷ trọng cao hơn của mảng HBM (bộ nhớ băng thông cao) AI được ký hợp đồng dài hạn (LTA), giá hợp đồng cố định khó bị ảnh hưởng bởi biến động thị trường ngắn hạn. SK Hynix chuẩn bị niêm yết tại Nasdaq với quy mô 29 tỷ USD, thị trường kỳ vọng khả năng mở rộng vốn của họ sẽ kéo dài khoảng cách với Samsung trong lĩnh vực HBM.

Trong khi đó, Samsung có tỷ trọng kinh doanh DRAM thông dụng cao hơn, chịu ảnh hưởng lớn hơn từ biến động giá giao ngay, do đó mức độ tích cực trong đàm phán tăng giá quý 3 cũng rõ ràng hơn.

Câu hỏi thường gặp

Tiến độ mới nhất trong đàm phán tăng giá DRAM quý 3 của Samsung là gì, mức tăng cuối cùng đã được xác định chưa?

Theo thông tin trong ngành được tờ Hàn Quốc ZDNET dẫn lại, mục tiêu tăng giá DRAM thông dụng quý 3 của Samsung là tối đa 20%, LPDDR vượt 20%; nhưng ngành cũng chỉ ra rằng, các nhà sản xuất thiết bị đầu cuối có thể dùng việc giảm số lượng đơn hàng hoặc chuyển sang nhà cung cấp khác làm đòn bẩy đàm phán, mức tăng cuối cùng trong quý 3 chưa được xác định. Số liệu giao dịch cụ thể căn cứ vào báo cáo tài chính chính thức của các nhà sản xuất.

Dự báo giá DRAM và NAND của UBS cao hơn đồng thuận thị trường bao nhiêu?

Theo báo cáo, UBS dự báo DRAM Q3 tăng 32% so với quý trước, Q4 tăng 18%, NAND Q3 tăng 30%, Q4 tăng 12%; báo cáo cho biết dự báo này "cao hơn nhiều so với đồng thuận thị trường trung bình", nhưng không tiết lộ số liệu cụ thể của đồng thuận thị trường. Trên đây là dự báo cá nhân của các nhà phân tích UBS, căn cứ vào báo cáo nghiên cứu thị trường chính thức cập nhật.

Tại sao nguồn cung DRAM truyền thống của ba nhà sản xuất bộ nhớ lớn liên tục thắt chặt?

Theo báo cáo, ba nhà sản xuất bộ nhớ lớn (Samsung, SK Hynix, Micron) đã chuyển khoảng 93% công suất sang sản xuất HBM; mỗi 1 bit HBM sản xuất cần tiêu thụ gấp ba lần công suất wafer so với DDR5, nguồn cung DRAM truyền thống do đó bị thu hẹp đáng kể. Công suất wafer mới chỉ bắt đầu được mở rộng từ năm 2027 sớm nhất, cấu trúc thắt chặt nguồn cung khó được nới lỏng nhanh chóng trong ngắn hạn.