AMD 於 7 月 22 日在加州舊金山莫斯康西展覽中心舉行的年度活動「AMD Advancing AI 2026」上，發表了新款 AI 加速器 Instinct MI455X，相較於前代產品 MI355X（搭載 8 層堆疊 HBM3E，容量 288GB），容量提升 1.5 倍、速度提升 2.9 倍。
AMD MI455X 的 HBM4 規格
MI455X 搭載的 HBM4 規格為以下關鍵改進的結果：
· 世代對比（MI455X HBM4 vs MI355X HBM3E）
· 堆疊層數：12 層 vs 8 層（+4 層）
· 單晶片容量：432GB vs 288GB（提升 1.5 倍）
· 頻寬：23.3 TB/s vs 約 8 TB/s（提升 2.9 倍）
· 通道寬度：2048 位元 vs 1024 位元（擴大一倍）
· 整體運算效能：較上一代提升約 4 倍
Dieckmann 說明，速度提升並非單純依靠提高時脈頻率，而是透過增加堆疊層數（8 層→12 層）和加倍連接通道寬度（1024 位元→2048 位元）同步達成。
MI455X 的系統整合：256GB/s CPU 直連
MI455X 配套的 CPU 為 AMD 第六代伺服器處理器（EPYC Gen6），透過專用通道與 GPU 直接連接，資料傳輸速度高達每秒 256GB，使 CPU 能夠無延遲存取 GPU 記憶體，消除資料交換瓶頸。在 Helios 系統層面，單一機架最多可整合 72 個 MI455X 單元，HBM4 總容量可達 31TB，記憶體頻寬可達 1.7 PB/s，實現晶片級記憶體效能提升到機架級的擴展。
三星電子為主要 HBM4 供應商
一名在現場接受採訪的 AMD 高層透露，三星電子將為 MI455X 提供大部分 HBM4 記憶體。三星正在準備的 HBM4 產品採用 12 層堆疊設計，容量為 36GB 級，使用 10 奈米製程（1c），單腳傳輸速率達 13Gbps，單堆疊頻寬達 3.3TB/s，據稱比上一代 HBM3E 快得多。
AMD 和三星電子已於 2026 年 3 月在三星平澤辦公地點簽署 MOU，以擴大在 HBM4 領域的合作；AMD 高層並表示雙方合作關係將在下一代 HBM4E 階段進一步加強，目標實現 16 層堆疊、約 60GB 容量和數十 TB/s 頻寬。
常見問題
AMD MI455X 搭載的 HBM4 記憶體規格是多少，與前代 MI355X 相比如何？
MI455X 搭載 12 層堆疊的 HBM4，單晶片容量 432GB，頻寬 23.3 TB/s；相比前代 MI355X 搭載的 8 層堆疊 HBM3E（容量 288GB），容量提升 1.5 倍、速度提升 2.9 倍；運算效能較上一代整體提升約 4 倍。
三星電子在 AMD MI455X 的 HBM4 供應中扮演什麼角色？
根據 AMD 高層在現場採訪的表態，三星電子將為 MI455X 提供大部分 HBM4 記憶體；三星的 HBM4 產品採用 12 層堆疊、36GB 容量，使用 10 奈米製程（1c），單堆疊頻寬達 3.3TB/s；AMD 和三星電子亦已於 2026 年 3 月簽署 MOU 擴大合作，並共同研發下一代 HBM4E。
AMD 與三星電子的 MOU 在何時簽署，合作範疇為何？
AMD 與三星電子於 2026 年 3 月在三星平澤辦公地點簽署諒解備忘錄（MOU），旨在擴大在下一代記憶體（包括 HBM4）領域的合作；雙方還在共同研發 HBM4E（第七代 HBM），目標實現 16 層堆疊、約 60GB 容量和數十 TB/s 頻寬。
