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三星HBM4E良率突破70% 第七代AI記憶體開發進入穩定階段
金色财经_
2026-07-01 14:28:21
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金色財經報導，7月1日，三星電子首席技術官兼半導體研究所所長在DS（器件解決方案）部門內部經營說明會上表示，HBM4E的可靠性測試良率已提升至70%以上。業界通常將80%以上視為工藝穩定的「成熟良率」門檻，而HBM4E目前仍處於可靠性測試階段，70%以上的水平被認為標誌著開發進程正式進入穩定區間。與此同時，他在同一場合透露，下一代10納米級第七代DRAM工藝（D1d）在技術競爭力上已取得對競爭對手的優勢，並計劃於今年11月完成生產準備認證（PRA）。
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