AMD ra mắt bộ tăng tốc AI MI455X, với tốc độ bộ nhớ HBM4 tăng 2,9 lần so với thế hệ trước

AMD đã công bố bộ tăng tốc AI mới Instinct MI455X tại sự kiện thường niên “AMD Advancing AI 2026” được tổ chức vào ngày 22 tháng 7 tại Trung tâm triển lãm Moscone ở San Francisco, California. So với sản phẩm tiền nhiệm MI355X (tích hợp 8 lớp chồng HBM3E, dung lượng 288GB), dung lượng tăng 1,5 lần và tốc độ tăng 2,9 lần.

Thông số HBM4 của AMD MI455X

Thông số HBM4 mà MI455X tích hợp là kết quả của các cải tiến trọng tâm sau:

· So sánh thế hệ (MI455X HBM4 vs MI355X HBM3E)

· Số lớp xếp chồng: 12 lớp vs 8 lớp (+4 lớp)

· Dung lượng mỗi chip: 432GB vs 288GB (tăng 1,5 lần)

· Băng thông: 23,3 TB/s vs khoảng 8 TB/s (tăng 2,9 lần)

· Độ rộng kênh: 2.048 bit vs 1.024 bit (gấp đôi)

· Hiệu năng tính toán tổng thể: tăng khoảng 4 lần so với thế hệ trước

Dieckmann cho biết, việc tăng tốc không chỉ đơn thuần dựa vào việc nâng tần số xung nhịp, mà đạt được đồng thời nhờ tăng số lớp chồng (8 lớp → 12 lớp) và nhân đôi độ rộng kênh kết nối (1.024 bit → 2.048 bit).

Tích hợp hệ thống của MI455X: CPU liên kết trực tiếp 256GB/s

CPU đi kèm MI455X là bộ xử lý máy chủ thế hệ thứ 6 của AMD (EPYC Gen6). Thông qua các kênh chuyên dụng kết nối trực tiếp với GPU, tốc độ truyền dữ liệu lên tới 256GB mỗi giây, giúp CPU truy cập bộ nhớ GPU mà không bị trễ, loại bỏ nút thắt trao đổi dữ liệu. Ở cấp độ hệ thống Helios, một rack đơn có thể tích hợp tối đa 72 đơn vị MI455X, tổng dung lượng HBM4 đạt 31TB, băng thông bộ nhớ lên tới 1,7 PB/s, hiện thực hóa bước nhảy hiệu năng bộ nhớ từ cấp độ chip sang khả năng mở rộng cấp rack.

Samsung Electronics là nhà cung cấp chính HBM4

Một lãnh đạo cấp cao của AMD được phỏng vấn tại hiện trường cho biết Samsung Electronics sẽ cung cấp phần lớn bộ nhớ HBM4 cho MI455X. Sản phẩm HBM4 mà Samsung đang chuẩn bị sử dụng thiết kế xếp chồng 12 lớp, dung lượng ở mức 36GB, dùng tiến trình 10 nanomet (1c), tốc độ truyền trên mỗi chân đạt 13Gbps, băng thông mỗi chồng đạt 3,3TB/s, được cho là nhanh hơn rất nhiều so với thế hệ trước HBM3E.

AMD và Samsung Electronics đã ký MOU vào tháng 3 năm 2026 tại địa điểm văn phòng Samsung Pyeongtaek để mở rộng hợp tác trong lĩnh vực HBM4; lãnh đạo cấp cao của AMD cũng cho biết quan hệ hợp tác giữa hai bên sẽ được tăng cường hơn nữa ở giai đoạn HBM4E thế hệ tiếp theo, với mục tiêu đạt xếp chồng 16 lớp, khoảng 60GB dung lượng và băng thông hàng chục TB/s.

Câu hỏi thường gặp

Thông số bộ nhớ HBM4 mà AMD MI455X tích hợp là gì, và so với MI355X tiền nhiệm ra sao?

MI455X tích hợp HBM4 xếp chồng 12 lớp, dung lượng mỗi chip 432GB, băng thông 23,3 TB/s. So với MI355X tiền nhiệm tích hợp HBM3E xếp chồng 8 lớp (dung lượng 288GB), dung lượng tăng 1,5 lần và tốc độ tăng 2,9 lần; hiệu năng tính toán tổng thể tăng khoảng 4 lần so với thế hệ trước.

Samsung Electronics đóng vai trò gì trong việc cung cấp HBM4 cho AMD MI455X?

Theo phát biểu của lãnh đạo AMD trong cuộc phỏng vấn tại hiện trường, Samsung Electronics sẽ cung cấp phần lớn bộ nhớ HBM4 cho MI455X. Sản phẩm HBM4 của Samsung sử dụng xếp chồng 12 lớp, dung lượng 36GB, dùng tiến trình 10 nanomet (1c), băng thông mỗi chồng lên tới 3,3TB/s. Ngoài ra, AMD và Samsung Electronics cũng đã ký MOU vào tháng 3 năm 2026 để mở rộng hợp tác và cùng phát triển thế hệ HBM4E tiếp theo.

MOU giữa AMD và Samsung Electronics được ký khi nào, phạm vi hợp tác là gì?

AMD và Samsung Electronics đã ký biên bản ghi nhớ (MOU) tại địa điểm văn phòng Samsung Pyeongtaek vào tháng 3 năm 2026, nhằm mở rộng hợp tác trong lĩnh vực bộ nhớ thế hệ tiếp theo (bao gồm HBM4). Hai bên cũng đang cùng nghiên cứu phát triển HBM4E (thế hệ HBM thứ bảy), với mục tiêu đạt xếp chồng 16 lớp, khoảng 60GB dung lượng và băng thông hàng chục TB/s.